发展历史
Development History
在江苏省重大成果转化项目（2007年）、国家自然科学基金委项目、科技部863项目和重点研发计划、发改委产业化示范项目以及国家和省市各级领军人才项目等的支持下，依托中科院苏州纳米所研究平台，苏州纳维在氮化镓单晶材料生长与产业化技术上持续深耕，取得系列创新突破，目前可以批量提供2~4英寸氮化镓单晶标准衬底，并可以为客户定制特定尺寸和规格的单晶衬底。
致力于氮化镓单晶材料的生长技术和装备研发，锐意进取，发展新方法、突破新技术，做全球氮化镓单晶技术的引领者，做氮化镓单晶衬底的最佳供应商，成长为对全球新一代半导体技术有卓越贡献的中国企业。
5×5mm²
Ø 2 inch位错密度10⁶cm⁻²。
Ø 2 inch量产中试，位错密度10⁵cm⁻²。
Ø 2 inch实现量产，Ø 4 inch样品。 研发水平位错密度10⁴cm⁻²。
Ø 4 inch量产技术，Ø 6inch关键技术。 研发水平位错密度10³cm⁻²。
Ø 2 inch 规模量产，Ø 4 inch 小批量供货，Ø 7 inch 样品研发。 位错密度：研发水平10³cm⁻²，量产水平10⁵cm⁻²。
Ø 2 inch 规模量产，Ø 4 inch 量产能力，Ø 6 inch 批量供货，Ø 8 inch 量产技术 位错密度：研发水平10²cm⁻²，量产水平10⁴cm⁻²。
Ø 2~8 inch量产技术 全面支撑：可见光激光器，先进微米LED，宽频谱射频器件，高效率电力电子，高可靠性功率器件，极低位错密度电学性能领先。
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