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    2018

    2018

    • 分类：发展历史
    • 作者：
    • 来源：
    • 发布时间：2022-09-26
    • 访问量：0

    【概要描述】Ø 4 inch量产技术，Ø 6inch关键技术。
    研发水平位错密度10³cm⁻²。

    2018

    【概要描述】Ø 4 inch量产技术，Ø 6inch关键技术。
    研发水平位错密度10³cm⁻²。

    • 分类：发展历史
    • 作者：
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    • 发布时间：2022-09-26
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    2英寸GaN单晶衬底的位错密度获得国际认可；完成了4英寸GaN单晶衬底；开展了6英寸GaN单晶衬底的研发

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